F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
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F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1

Numéro de produit DigiKey
448-F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
Description
LOW POWER EASY
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
8 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 65A Montage sur châssis
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
Conditionnement
Plateau
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 Canal N
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
65A
Rds On (max.) à Id, Vgs
16mohms à 75A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5,15V à 30mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
223nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6600pF à 800V
Puissance - Max.
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
-
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Tous les prix sont en CHF
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 115.21000Fr. 115.21
18Fr. 101.97167Fr. 1’835.49
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 115.21000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 124.54201