
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 |
Description | MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 8 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 85A (Tj) Montage sur châssis AG-EASY2B |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Infineon Technologies | |
Série | ||
Conditionnement | Plateau | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 2 canaux N (demi-pont) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 85A (Tj) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 12mohms à 100A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,15V à 40mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 297nC à 18V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 8800pF à 800V | |
Puissance - Max. | - | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier | Module | |
Boîtier fournisseur | AG-EASY2B | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 93.04000 | Fr. 93.04 |
| 18 | Fr. 79.17889 | Fr. 1’425.22 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 93.04000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 100.57624 |


