
F413MXTR12C1M2H11BPSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-F413MXTR12C1M2H11BPSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | F413MXTR12C1M2H11BPSA1 |
Description | F413MXTR12C1M2H11BPSA1 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 60A 20mW Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 12,5mohms à 50A, 18V |
Fabricant Infineon Technologies | Vgs(th) (max.) à Id 5,15V à 22mA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 158nC à 18V |
Conditionnement Plateau | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4800pF à 800V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 20mW |
Technologies Carbure de silicium (SiC) | Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configuration 4 Canal N | Type de montage Montage sur châssis |
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Boîtier Module |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60A |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 101.45000 | Fr. 101.45 |
| 24 | Fr. 81.38125 | Fr. 1’953.15 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 101.45000 |
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| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 109.66745 |



