
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 |
Description | F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 12 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 95A (Tj) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Infineon Technologies | |
Série | ||
Conditionnement | Plateau | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 4 Canal N | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 95A (Tj) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 8,3mohms à 75A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,15V à 33mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 237nC à 18V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 7210pF à 800V | |
Puissance - Max. | - | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier | Module | |
Boîtier fournisseur | - |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | Fr. 141.49000 | Fr. 141.49 |
18 | Fr. 129.79000 | Fr. 2’336.22 |
Prix unitaire sans TVA: | Fr. 141.49000 |
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Prix unitaire avec TVA: | Fr. 152.95069 |