Name: FF3MR12KM1HHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Price: 263.62347 CHF
Availability: InStock

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FF3MR12KM1HHPSA1
Numéro de produit DigiKey	448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	FF3MR12KM1HHPSA1
Description	MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 190 A (Tc) Montage sur châssis AG-62MMHB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FF3MR12KM1HHPSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 4,44mohms à 280A, 18V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,1V à 112mA
Série CoolSiC™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 800nC à 18V
Conditionnement Boîte	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 24200pF à 800V
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Technologies Carbure de silicium (SiC)	Type de montage Montage sur châssis
Configuration 2 canaux N (demi-pont)	Boîtier Module
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)	Boîtier fournisseur AG-62MMHB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 190 A (Tc)