Name: FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF4MR12W2M1HB70BPSA1-ND
Price: 170.50613 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Numéro de produit DigiKey	448-FF4MR12W2M1HB70BPSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Description	LOW POWER EASY
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 200A Montage sur châssis
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Actif
Technologies	Carbure de silicium (SiC)
Configuration	2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200A
Rds On (max.) à Id, Vgs	4mohms à 200A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,15V à 80mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	594nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	17600pF à 800V
Puissance - Max.	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	-

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

En stock: 76

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 157.73000	Fr. 157.73
15	Fr. 147.34000	Fr. 2’210.10

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.