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FF6MR12W2M1PB11BPSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
Équivalent paramétrique
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-FF6MR12W2M1PB11BPSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 |
Description | MOSFET 2N-CH 1200V 200A |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Infineon Technologies | |
Série | ||
Conditionnement | Plateau | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 200A (Tj) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 5,63mohms à 200A, 15V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,55V à 80mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 496nC à 15V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 14700pF à 800V | |
Puissance - Max. | - | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier | Module | |
Numéro de produit de base |
Obsolète
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Suisse