Name: GS0650302LMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS0650302LMRXUSA1TR-ND
Price: 9.82629 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

GS0650302LMRXUSA1
Numéro de produit DigiKey	448-GS0650302LMRXUSA1TR-ND - Bande et bobine 448-GS0650302LMRXUSA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-GS0650302LMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	GS0650302LMRXUSA1
Description	GS-065-030-2-L-MR
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 30 A (Tc) Montage en surface 8-PDFN (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 68mohms à 5,5A, 6V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 7,5mA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.7 nC @ 6 V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Vgs (max.) +7V, -10V
Type de FET Canal N	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 235 pF @ 400 V
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-PDFN (8x8)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V	Boîtier 8-VDFN plot exposé