GS61004BMRXUSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

GS61004BMRXUSA1
Numéro de produit DigiKey	448-GS61004BMRXUSA1TR-ND - Bande et bobine 448-GS61004BMRXUSA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-GS61004BMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	GS61004BMRXUSA1
Description	GS61004B-MR
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 45 A (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 20mohms à 13,5A, 6V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 1,3V à 7mA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.2 nC @ 6 V
Statut du composant Obsolète	Vgs (max.) +7V, -10V
Type de FET Canal N	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 295 pF @ 50 V
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 45 A (Tc)	Boîtier 3-SMD, sans plomb
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 500

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Ce produit n'est plus fabriqué et ne sera plus stocké une fois le stock épuisé. Voir Types de conditionnement alternatifs.

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande et bobine