Name: IAUA180N10S5N029AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUA180N10S5N029AUMA1TR-ND
Price: 3.23219 CHF
Availability: InStock

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IAUA180N10S5N029AUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUA180N10S5N029AUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUA180N10S5N029AUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUA180N10S5N029AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUA180N10S5N029AUMA1
Description	MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 180A (Tj) 221W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-5-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUA180N10S5N029AUMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	180A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,9mohms à 90A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,8V à 130µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7673 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	221W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-5-4
Boîtier	5-PowerSFN