Name: IAUC120N06S5N017ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC120N06S5N017ATMA1TR-ND
Price: 2.8106 CHF
Availability: InStock

Canal N 60 V 120 A (Tj) 167W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-43

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IAUC120N06S5N017ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUC120N06S5N017ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUC120N06S5N017ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUC120N06S5N017ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUC120N06S5N017ATMA1
Description	MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 120 A (Tj) 167W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-43
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUC120N06S5N017ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 95.9 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6952 pF @ 30 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 167W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tj)	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-43
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,7mohms à 60A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 3,4V à 94µA	Numéro de produit de base IAUC120