Name: IAUCN08S7N024TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7N024TATMA1TR-ND
Price: 3.1349 CHF
Availability: InStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IAUCN08S7N024TATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUCN08S7N024TATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUCN08S7N024TATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUCN08S7N024TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUCN08S7N024TATMA1
Description	MOSFET_(75V 120V(
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 165A (Tj) 157W (Tc) Montage en surface PG-LHDSO-10-1
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	165A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	7V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,44mohms à 83A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,2V à 74,7µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4849 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	157W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-LHDSO-10-1
Boîtier	10-LSOP (0,216po, 5,48mm de large) plot exposé