Name: IAUCN10S7N021ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND
Price: 4.17266 CHF
Availability: InStock

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IAUCN10S7N021ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUCN10S7N021ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUCN10S7N021ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUCN10S7N021ATMA1
Description	MOSFET_(75V 120V(
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 175A (Tj) 217W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-53
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUCN10S7N021ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,2V à 130µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 105 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7153 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 217W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 175A (Tj)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7V, 10V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-53
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,1mohms à 88A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN

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