Name: IDH04G65C6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IDH04G65C6XKSA1-ND
Price: 2.64845 CHF
Availability: InStock

Diode 650 V 12A Trou traversant PG-TO220-2

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IDH04G65C6XKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IDH04G65C6XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IDH04G65C6XKSA1
Description	DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 12A Trou traversant PG-TO220-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IDH04G65C6XKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples	Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns
Fabricant Infineon Technologies	Courant - Fuite inverse à Vr 14 µA @ 420 V
Conditionnement Tube	Capacité à Vr, F 205pF à 1V, 1MHz
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Type de montage Trou traversant
Technologies SiC (Silicon Carbide) Schottky	Boîtier TO-220-2
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-2
Courant - Moyen redressé (Io) 12A	Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.35 V @ 4 A	Numéro de produit de base IDH04G65
Vitesse Temps de récupération nul > 500mA (Io)

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
STPSC6H065D	STMicroelectronics	929	497-13172-ND	Fr. 2.15000	Similaire

En stock: 4’857

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 2.45000	Fr. 2.45
50	Fr. 1.19840	Fr. 59.92
100	Fr. 1.07700	Fr. 107.70
500	Fr. 0.86382	Fr. 431.91
1’000	Fr. 0.79531	Fr. 795.31
2’000	Fr. 0.73772	Fr. 1’475.44
5’000	Fr. 0.67542	Fr. 3’377.10
10’000	Fr. 0.63696	Fr. 6’369.60

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.