Name: IDH10G120C5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IDH10G120C5XKSA1-ND
Price: 4.47534 CHF
Availability: InStock

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IDH10G120C5XKSA1
Numéro de produit DigiKey	IDH10G120C5XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IDH10G120C5XKSA1
Description	DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 1200 V 10A Trou traversant PG-TO220-2-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IDH10G120C5XKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™+
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)	10A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.8 V @ 10 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	62 µA @ 1200 V
Capacité à Vr, F	525pF à 1V, 1MHz
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	TO-220-2
Boîtier fournisseur	PG-TO220-2-1
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base	IDH10G120

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 4.14000	Fr. 4.14
50	Fr. 2.15760	Fr. 107.88
100	Fr. 1.96580	Fr. 196.58
500	Fr. 1.89634	Fr. 948.17
1’000	Fr. 1.54349	Fr. 1’543.49

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.