IDK08G65C5XTMA2
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IDK02G65C5XTMA1

Numéro de produit DigiKey
IDK02G65C5XTMA1-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IDK02G65C5XTMA1
Description
DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO2632
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 2A Montage en surface PG-TO263-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolSiC™+
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
2A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.8 V @ 2 A
Vitesse
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
330 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F
70pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Boîtier fournisseur
PG-TO263-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
IDK02G65
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