Name: IDW10G65C5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IDW10G65C5XKSA1-ND
Price: 3.95646 CHF
Availability: InStock

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IDW10G65C5XKSA1
Numéro de produit DigiKey	IDW10G65C5XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IDW10G65C5XKSA1
Description	DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 10A Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™+
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	650 V
Courant - Moyen redressé (Io)	10A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.7 V @ 10 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	180 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F	300pF à 1V, 1MHz
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	TO-247-3
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base	IDW10G65

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 3.66000	Fr. 3.66
30	Fr. 2.03467	Fr. 61.04
120	Fr. 1.67550	Fr. 201.06
510	Fr. 1.41202	Fr. 720.13
1’020	Fr. 1.31586	Fr. 1’342.18
2’010	Fr. 1.30090	Fr. 2’614.81

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.