Name: IDW12G65C5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IDW12G65C5XKSA1-ND
Price: 4.51858 CHF
Availability: InStock

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IDW12G65C5XKSA1
Numéro de produit DigiKey	IDW12G65C5XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IDW12G65C5XKSA1
Description	DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2473
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 12A Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™+
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	650 V
Courant - Moyen redressé (Io)	12A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.7 V @ 12 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	190 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F	360pF à 1V, 1MHz
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	TO-247-3
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base	IDW12G65

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 4.18000	Fr. 4.18
30	Fr. 2.34467	Fr. 70.34
120	Fr. 1.94033	Fr. 232.84
510	Fr. 1.64400	Fr. 838.44
1’020	Fr. 1.55310	Fr. 1’584.16

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.