Name: IGC090S20S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC090S20S1XTMA1TR-ND
Price: 4.51858 CHF
Availability: OutOfStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IGC090S20S1XTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IGC090S20S1XTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IGC090S20S1XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IGC090S20S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGC090S20S1XTMA1
Description	200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	9 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 12 A (Ta), 46 A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montage en surface PG-TSON-6-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolGaN™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Ta), 46 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9mohms à 10A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	2,9V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.5 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±6,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	800 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSON-6-2
Boîtier	6-PowerTDFN