Name: IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND
Price: 5.12394 CHF
Availability: InStock

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IGLD65R080D2AUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IGLD65R080D2AUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IGLD65R080D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGLD65R080D2AUMA1
Description	GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 18 A (Tc) 68W (Tc) Montage en surface PG-LSON-8-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IGLD65R080D2AUMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,6V à 1,8mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 3.3 nC @ 3 V
Série CoolGaN™ G5	Vgs (max.) -10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 240 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 68W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-LSON-8-2
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)	Boîtier 8-LDFN plot exposé
Rds On (max.) à Id, Vgs 100mohms à 5,5A