Name: IGT65R055D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R055D2ATMA1TR-ND
Price: 5.78335 CHF
Availability: InStock

Nouveau produit

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IGT65R055D2ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IGT65R055D2ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IGT65R055D2ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IGT65R055D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGT65R055D2ATMA1
Description	IGT65R055D2ATMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 31 A (Tc) 106W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IGT65R055D2ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolGaN™ G5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	31 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	-
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	1,6V à 2,6mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4.7 nC @ 3 V
Vgs (max.)	-10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	340 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	106W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8-3
Boîtier	8-PowerSFN