
IMBG65R010M2HXTMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMBG65R010M2HXTMA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IMBG65R010M2HXTMA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 15V, 20V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 9,1mohms à 92,1A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,6V à 18,7mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 112 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +23V, -7V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 4001 pF @ 400 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 535W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-TO263-7-12 | |
Boîtier |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | Fr. 16.78000 | Fr. 16.78 |
10 | Fr. 12.05300 | Fr. 120.53 |
100 | Fr. 11.75990 | Fr. 1’175.99 |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1’000 | Fr. 10.11271 | Fr. 10’112.71 |
Prix unitaire sans TVA: | Fr. 16.78000 |
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Prix unitaire avec TVA: | Fr. 18.13918 |