Name: IMBG65R050M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R050M2HXTMA1TR-ND
Price: 7.85887 CHF
Availability: InStock

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IMBG65R050M2HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMBG65R050M2HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMBG65R050M2HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMBG65R050M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMBG65R050M2HXTMA1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 41 A (Tc) 172W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 3,7mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 18 V
Série CoolSiC™ Gen 2	Vgs (max.) +23V, -7V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 790 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 172W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-12
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 41 A (Tc)	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V	Numéro de produit de base IMBG65R050
Rds On (max.) à Id, Vgs 62mohms à 18,2A, 18V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1’000	Fr. 2.85088	Fr. 2’850.88
2’000	Fr. 2.69845	Fr. 5’396.90

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 7.27000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 7.85887

IMBG65R050M2HXTMA1