Name: IMCQ120R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R026M2HXTMA1TR-ND
Price: 12.06396 CHF
Availability: InStock

Canal N 1200 V 82 A (Tc) 405W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-22-3

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IMCQ120R026M2HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMCQ120R026M2HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMCQ120R026M2HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMCQ120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMCQ120R026M2HXTMA1
Description	SICFET N-CH 1200V 82A 22PWRBSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 82 A (Tc) 405W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-22-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMCQ120R026M2HXTMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 25,4mohms à 27A, 18V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,1V à 8,6mA
Série CoolSiC™ G2	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63.4 nC @ 18 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +23V, -7V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2540 pF @ 800 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 405W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 82 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HDSOP-22-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Boîtier Module 22-PowerBSOP