Name: IMSQ120R026M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND
Price: 18.96074 CHF
Availability: InStock

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IMSQ120R026M2HHXUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMSQ120R026M2HHXUMA1
Description	SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 83 A (Tc) 410W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-16-221
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™ G2
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Configuration	2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	83 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	26mohms à 27A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,1V à 8,6mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	54nC à 0V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1990pF à 800V
Puissance - Max.	410W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	24-BSOP (0,606po, 15,40mm de largeur), 16 sorties, plot exposé
Boîtier fournisseur	PG-HDSOP-16-221