Name: IMT65R022M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R022M1HXUMA1TR-ND
Price: 12.50717 CHF
Availability: InStock

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IMT65R022M1HXUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMT65R022M1HXUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMT65R022M1HXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMT65R022M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMT65R022M1HXUMA1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	650 V Montage en surface PG-HSOF-8-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMT65R022M1HXUMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	-
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	-
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	-
Vgs (max.)	-
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8-2
Boîtier	8-PowerSFN