
IMT65R026M2HXUMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IMT65R026M2HXUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMT65R026M2HXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMT65R026M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMT65R026M2HXUMA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 81 A (Tc) 365W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-2 |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 15V, 20V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 24mohms à 34,5A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,6V à 7mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 42 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +23V, -7V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1499 pF @ 400 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 365W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-HSOF-8-2 | |
Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 8.96000 | Fr. 8.96 |
| 10 | Fr. 6.20300 | Fr. 62.03 |
| 100 | Fr. 5.22480 | Fr. 522.48 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 4.26860 | Fr. 8’537.20 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 8.96000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 9.68576 |




