
IMTA65R040M2HXTMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IMTA65R040M2HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMTA65R040M2HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMTA65R040M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMTA65R040M2HXTMA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 54 A (Tc) 242W (Tc) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IMTA65R040M2HXTMA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 15V, 20V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 36mohms à 22,9A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,6V à 4,6mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 28 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +23V, -7V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 997 pF @ 400 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 242W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | - | |
Boîtier fournisseur | - | |
Boîtier | - |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | Fr. 5.98000 | Fr. 5.98 |
10 | Fr. 4.71000 | Fr. 47.10 |
100 | Fr. 4.33230 | Fr. 433.23 |
500 | Fr. 3.92392 | Fr. 1’961.96 |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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2’000 | Fr. 3.36023 | Fr. 6’720.46 |
Prix unitaire sans TVA: | Fr. 5.98000 |
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Prix unitaire avec TVA: | Fr. 6.46438 |