Name: IMTA65R075M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R075M2HXTMA1-ND
Price: 4.73478 CHF
Availability: InStock

Nouveau produit

Canal N 650 V 30 A (Tc) 141W (Tc) Montage en surface PG-LHSOF-4-1

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IMTA65R075M2HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMTA65R075M2HXTMA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMTA65R075M2HXTMA1
Description	IMTA65R075M2HXTMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 30 A (Tc) 141W (Tc) Montage en surface PG-LHSOF-4-1
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 68mohms à 11,9A, 20V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 2,4mA
Série CoolSiC™ G2	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14.9 nC @ 18 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) +23V, -7V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 516 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 141W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-LHSOF-4-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V	Boîtier 4-PowerLSFN

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 4.38000	Fr. 4.38
10	Fr. 2.91000	Fr. 29.10
100	Fr. 2.07990	Fr. 207.99
500	Fr. 1.72574	Fr. 862.87
1’000	Fr. 1.61203	Fr. 1’612.03
2’000	Fr. 1.52188	Fr. 3’043.76

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.