Name: IMW120R090M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMW120R090M1HXKSA1-ND
Price: 8.93987 CHF
Availability: InStock

Canal N 1200 V 26 A (Tc) 115W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41

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IMW120R090M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	IMW120R090M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMW120R090M1HXKSA1
Description	SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	54 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 26 A (Tc) 115W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMW120R090M1HXKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,7V à 3,7mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21 nC @ 18 V
Série CoolSiC™	Vgs (max.) +23V, -7V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 707 pF @ 800 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 115W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3-41
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Numéro de produit de base IMW120
Rds On (max.) à Id, Vgs 117mohms à 8,5A, 18V

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 8.27000	Fr. 8.27
30	Fr. 4.82100	Fr. 144.63
120	Fr. 4.06500	Fr. 487.80
510	Fr. 3.51124	Fr. 1’790.73
1’020	Fr. 3.30928	Fr. 3’375.47
2’010	Fr. 3.14297	Fr. 6’317.37

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.