Name: IMW65R039M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R039M1HXKSA1-ND
Price: 8.20479 CHF
Availability: InStock

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IMW65R039M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMW65R039M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMW65R039M1HXKSA1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 46 A (Tc) 176W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMW65R039M1HXKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	46 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	50mohms à 25A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,7V à 7,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	41 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+20V, -2V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1393 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	176W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3-41
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	IMW65R

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 7.59000	Fr. 7.59
30	Fr. 4.48400	Fr. 134.52
120	Fr. 3.93758	Fr. 472.51
510	Fr. 3.83533	Fr. 1’956.02

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.