
IMW65R048M1HXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IMW65R048M1HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMW65R048M1HXKSA1 |
Description | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 39 A (Tc) 125W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IMW65R048M1HXKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5,7V à 6mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33 nC @ 18 V |
Série | Vgs (max.) +23V, -5V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1118 pF @ 400 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-41 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 64mohms à 20,1A, 18V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC035SMA070B | Microchip Technology | 235 | MSC035SMA070B-ND | Fr. 8.21000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 9.11000 | Fr. 9.11 |
| 30 | Fr. 5.36367 | Fr. 160.91 |
| 120 | Fr. 4.53983 | Fr. 544.78 |
| 510 | Fr. 3.93631 | Fr. 2’007.52 |
| 1’020 | Fr. 3.71624 | Fr. 3’790.56 |
| 2’010 | Fr. 3.53499 | Fr. 7’105.33 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 9.11000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 9.84791 |










