Name: IMWH170R1K0M1XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMWH170R1K0M1XKSA1-ND
Price: 5.17799 CHF
Availability: InStock

Canal N 1700 V 5,4 A (Tj) 70W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-U04

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IMWH170R1K0M1XKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMWH170R1K0M1XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMWH170R1K0M1XKSA1
Description	IMWH170R1K0M1XKSA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	49 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1700 V 5,4 A (Tj) 70W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-U04
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMWH170R1K0M1XKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 880mohms à 1A, 15V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,7V à 1,2mA
Série CoolSiC™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.5 nC @ 12 V
Conditionnement Plateau	Vgs (max.) 15V, 12V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 233 pF @ 1000 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 70W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1700 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,4 A (Tj)	Boîtier fournisseur PG-TO247-3-U04
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 12V, 15V	Boîtier TO-247-3

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Documents et supports

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Quantité

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Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 4.79000	Fr. 4.79
30	Fr. 2.70933	Fr. 81.28
120	Fr. 2.25058	Fr. 270.07
510	Fr. 1.91429	Fr. 976.29
1’020	Fr. 1.79160	Fr. 1’827.43
2’010	Fr. 1.72032	Fr. 3’457.84

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.