Name: IMYH200R012M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYH200R012M1HXKSA1-ND
Price: 78.34007 CHF
Availability: InStock

Canal N 2000 V 123 A (Tc) 552W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-U04

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IMYH200R012M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMYH200R012M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMYH200R012M1HXKSA1
Description	SIC DISCRETE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	54 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 2000 V 123 A (Tc) 552W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-U04
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMYH200R012M1HXKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 16,5mohms à 60A, 18V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,5V à 48mA
Série CoolSiC™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 246 nC @ 18 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) +20V, -7V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 552W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 2000 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-4-U04
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 123 A (Tc)	Boîtier TO-247-4
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Numéro de produit de base IMYH200

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 72.47000	Fr. 72.47
30	Fr. 51.02933	Fr. 1’530.88
120	Fr. 46.35758	Fr. 5’562.91

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.