Name: IMZA120R022M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Price: 13.31792 CHF
Availability: InStock

Nouveau produit

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IMZA120R022M2HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMZA120R022M2HXKSA1
Description	IMZA120R022M2HXKSA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 80 A (Tc) 329W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	29mohms à 32A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,1V à 10,1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	71 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2330 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	329W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-4-8
Boîtier	TO-247-4

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 12.32000	Fr. 12.32
30	Fr. 7.58267	Fr. 227.48
120	Fr. 6.71642	Fr. 805.97

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.