Name: IMZA65R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R007M2HXKSA1-ND
Price: 30.83012 CHF
Availability: InStock

Canal N 650 V 210 A (Tc) 625W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-U02

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IMZA65R007M2HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMZA65R007M2HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMZA65R007M2HXKSA1
Description	SICFET N-CH 650V 210A PG-TO247-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 210 A (Tc) 625W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-U02
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMZA65R007M2HXKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 8,5mohms à 146,3A, 18V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 29,7mA
Série CoolSiC™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 179 nC @ 18 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) +23V, -7V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6359 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 625W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 210 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO247-4-U02
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V	Boîtier TO-247-4

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 28.52000	Fr. 28.52
30	Fr. 18.53500	Fr. 556.05
120	Fr. 16.35358	Fr. 1’962.43
510	Fr. 14.75800	Fr. 7’526.58

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.