Name: IMZA65R015M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R015M2HXKSA1-ND
Price: 17.99865 CHF
Availability: OutOfStock

Canal N 650 V 103 A (Tc) 341W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-8

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IMZA65R015M2HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMZA65R015M2HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMZA65R015M2HXKSA1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 103 A (Tc) 341W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-8
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 13mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 79 nC @ 18 V
Série CoolSiC™ Gen 2	Vgs (max.) +23V, -7V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2792 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 341W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-4-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 103 A (Tc)	Boîtier TO-247-4
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V	Numéro de produit de base IMZA65R015
Rds On (max.) à Id, Vgs 13,2mohms à 64,2A, 20V

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Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 16.65000	Fr. 16.65
30	Fr. 10.31667	Fr. 309.50
120	Fr. 8.93117	Fr. 1’071.74
510	Fr. 7.91708	Fr. 4’037.71
1’020	Fr. 7.54752	Fr. 7’698.47

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.