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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IMZA75R008M1HXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMZA75R008M1HXKSA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 750 V 163 A (Tc) 517W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-U02 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IMZA75R008M1HXKSA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 7,2mohms à 90,3A, 20V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 32,4mA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 178 nC @ 500 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) +23V, -5V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6137 pF @ 500 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 517W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 750 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO247-4-U02 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V | Boîtier |
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 34.07000 | Fr. 34.07 |
| 30 | Fr. 22.49300 | Fr. 674.79 |
| 120 | Fr. 19.96442 | Fr. 2’395.73 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 34.07000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 36.82967 |
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