IPA028N04NM3SXKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPA028N04NM3SXKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Infineon Technologies

En stock: 76

Prix unitaire : Fr. 1.59000

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IPA028N04NM3SXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPA028N04NM3SXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPA028N04NM3SXKSA1
Description	TRENCH <= 40V PG-TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 89 A (Tc) 38W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPA028N04NM3SXKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 89A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 95µA
Série OptiMOS™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 120 nC @ 10 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9500 pF @ 20 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 38W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 89 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO220-FP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier Boîtier complet TO-220-3