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Canal N 650 V 17,5 A (Tc) 34W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-111
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPA65R190CFDXKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-IPA65R190CFDXKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPA65R190CFDXKSA1
Description
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 17,5 A (Tc) 34W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-111
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 730µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
68 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1850 pF @ 100 V
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Dissipation de puissance (max.)
34W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Boîtier fournisseur
PG-TO220-3-111
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
190mohms à 7,3 A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (6)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
FCPF190N60Eonsemi0FCPF190N60EOS-NDFr. 4.11000Similaire
SIHA22N60AE-E3Vishay Siliconix0SIHA22N60AE-E3-NDFr. 1.28300Similaire
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STF26N60M2STMicroelectronics838497-16514-5-NDFr. 2.84000Similaire
STF28N60M2STMicroelectronics81497-14216-5-NDFr. 3.22000Similaire
En stock: 0
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