
IPAN65R650CEXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPAN65R650CEXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPAN65R650CEXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 15 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 10,1 A (Tc) 28W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPAN65R650CEXKSA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 650mohms à 2,1A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,5V à 210µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 440 pF @ 100 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 28W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | PG-TO220-FP | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.30000 | Fr. 1.30 |
| 50 | Fr. 0.61620 | Fr. 30.81 |
| 100 | Fr. 0.54980 | Fr. 54.98 |
| 500 | Fr. 0.43314 | Fr. 216.57 |
| 1’000 | Fr. 0.39560 | Fr. 395.60 |
| 2’000 | Fr. 0.36403 | Fr. 728.06 |
| 5’000 | Fr. 0.32988 | Fr. 1’649.40 |
| 10’000 | Fr. 0.32750 | Fr. 3’275.00 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.30000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.40530 |







