IPB015N04LGATMA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPB015N04LGATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB015N04LGATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB015N04LGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB015N04LGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB015N04LGATMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 120 A (Tc) 250W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB015N04LGATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,5mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	346 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	28000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	250W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IPB015