IPB180P04P4L02ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPB180P04P4L02ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Infineon Technologies

En stock: 20’114

Prix unitaire : Fr. 4.03000

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IPB180P04P4L02ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB180P04P4L02ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB180P04P4L02ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB180P04P4L02ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB180P04P4L02ATMA1
Description	MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 180 A (Tc) 150W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 286 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±16V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 18700 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 150W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-263-7, D2PAK (6 sorties + languette)
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,4mohms à 100A, 10V	Numéro de produit de base IPB180
Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 410µA