IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IPB144N12N3GATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB144N12N3GATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB144N12N3GATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB144N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB144N12N3GATMA1
Description	MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 56 A (Ta) 107W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB144N12N3GATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	120 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	56 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	14,4mohms à 56A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 61µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3220 pF @ 60 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	107W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IPB144