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PG-TO263-3-2
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IPB50R199CPATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPB50R199CPATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPB50R199CPATMA1
Description
MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 550 V 17 A (Tc) 139W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPB50R199CPATMA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolMOS™
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
550 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
17 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
199mohms à 9,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 660µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1800 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
139W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3-2
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB50R199
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1’000Fr. 0.98000Fr. 980.00
2’000Fr. 0.95430Fr. 1’908.60
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.98000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.05938