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IPB60R190P6ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPB60R190P6ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB60R190P6ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB60R190P6ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 630µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 37 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1750 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 151W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO263-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 7,6A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | 2’045 | IPB60R180P7ATMA1CT-ND | Fr. 2.43000 | Similaire |
| R6024ENJTL | Rohm Semiconductor | 811 | R6024ENJTLCT-ND | Fr. 3.97000 | Similaire |
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| SIHB23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 44 | SIHB23N60E-GE3-ND | Fr. 4.05000 | Similaire |
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