Name: IPB65R110CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R110CFDAATMA1TR-ND
Price: 5.81578 CHF
Availability: InStock

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IPB65R110CFDAATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB65R110CFDAATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB65R110CFDAATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB65R110CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB65R110CFDAATMA1
Description	MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB65R110CFDAATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 118 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série CoolMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3240 pF @ 100 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 277,8W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31,2 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 110mohms à 12,7 A, 10V	Numéro de produit de base IPB65R110
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,3mA