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IPB65R125C7ATMA2 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPB65R125C7ATMA2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB65R125C7ATMA2TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB65R125C7ATMA2 |
Description | MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 18 A (Tc) 101W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPB65R125C7ATMA2 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 440µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1670 pF @ 400 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 101W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO263-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 125mohms à 8,9A, 10V |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R095C7ATMA2 | Infineon Technologies | 2’146 | IPB65R095C7ATMA2CT-ND | Fr. 5.16000 | Recommandation fabricant |
| STB36NM60N | STMicroelectronics | 548 | 497-12972-1-ND | Fr. 6.69000 | Similaire |
Obsolète
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