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Fiche technique
PG-TO263-3-2
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IPB80N06S207ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPB80N06S207ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPB80N06S207ATMA1
Description
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 55 V 80 A (Tc) 250W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
6,3mohms à 68A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 180µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3400 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3-2
Boîtier
Numéro de produit de base
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