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IPB80N06S207ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB80N06S207ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB80N06S207ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 55 V 80 A (Tc) 250W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3400 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc) |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 55 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,3mohms à 68A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 180µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK9608-55B,118 | Nexperia USA Inc. | 321 | 1727-4711-1-ND | Fr. 2.48000 | Similaire |
| FDB060AN08A0 | onsemi | 2’417 | FDB060AN08A0CT-ND | Fr. 3.95000 | Similaire |
| IXTA110N055T2 | IXYS | 0 | IXTA110N055T2-ND | Fr. 3.31000 | Similaire |
| PSMN7R6-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | 152 | 1727-7215-1-ND | Fr. 2.00000 | Similaire |
| STB140NF55T4 | STMicroelectronics | 1’496 | 497-4321-1-ND | Fr. 2.83000 | Similaire |





