IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPB80N06S208ATMA2 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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IPB80N06S208ATMA2
Numéro de produit DigiKey	IPB80N06S208ATMA2-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB80N06S208ATMA2
Description	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 55 V 80 A (Tc) 215W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB80N06S208ATMA2 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 96 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2860 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine	Dissipation de puissance (max.) 215W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 55 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,7mohms à 58A, 10V	Numéro de produit de base IPB80N
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 150µA